通常、半導体試料の薄片化はイオンミリングとかFIBで行いますが、ダメージが問題となることがあります。そのような場合、化学的にエッチングしてやると上手く行くことがあります。ここで紹介する光化学エッチングは、エッチング液の中に浸した試料にレーザー光を照射し、そこの場所だけを選択的にエッチングするので、ハンドリングがし易く試料作製の成功率が高い方法です。断面TEM試料作製にも利用できます。

こんな感じで試料にレーザー光をあてます


断面TEM試料の作り方です。平面と比べ少し手間が掛かりますが、下の写真のように高分解能像もちゃんと撮れる試料が出来ます

InGaAsP/InP界面の高分解能断面TEM像です。InP系半導体はイオンミリングで作るとInのドロップレットが出来てしまいますが、この手法だときれいな像が見られます