これは選択成長GaNピラミッドの断面TEM像です。開口部(中心部)から貫通転位が発生していますが途中で折れ曲がるため、最上部付近には転位がない領域が出来ます。


これは、横方向成長GaNの断面TEM像です。膜の表面付近は転位の数がかなり少なくなっています。

GaNサンプルは、工学研究科 電子工学専攻 澤木研究室で作製されました。